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2SK170-BL 2SK170 K170 2SK170BL
15 DH
- Type de transistor: JFET
- Type de canal de contrôle: N -Channel
- Dissipation de puissance maximale (Pd): 0,2 W
- Tension drain-source maximale | Vds |: 40 V
- Courant de drain maximal | Id |: 0,02 A
- Température de jonction maximale (Tj): 125 ° C
- Résistance maximale à l’état drain-source (Rds): 55 Ohm
- Paquet: TO92
TOSHIBA | ||
N-MOSFET | ||
unipolaire | ||
40V | ||
20mA | ||
400mW | ||
TO92 | ||
THT |
- Poids brut: 0,358 g
- Numéro de pièce du fabricant: 2SK170-GR
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