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FDPF7N50U FDPF7N50 Fairchild Semiconductor N-Channel MOSFET
26 DH
- Type de transistor: MOSFET
- Type de canal de contrôle: N -Channel
- Dissipation de puissance maximale (Pd): 31,3 W
- Tension drain-source maximale | Vds |: 500 V
- Tension grille-source maximale | Vgs |: 30 V
- Tension maximale seuil de porte | Vgs (th) |: 5 V
Type de canal N
Courant maximal de drain continu 5 A
Tension maximale de la source de drainage 500 V
Résistance maximale de la source de drainage 1,5 Ω
Tension maximale de la porte d’accès ± 30 V
Type d’emballage TO-220F
Type de montage à travers le trou
Nombre de broches 3
Amélioration du mode de canal
Catégorie MOSFET de puissance
Dissipation de puissance maximale 31,3 W
Temps de mise en marche typique 6 ns
Nombre d’éléments par puce 1
Largeur 4.7mm
Longueur 10.16mm
Capacité d’entrée typique à Vds 720 pF à 25 V
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