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G30N60A4 HGTG30N60A4 30N60A4 Transistor TO-3P
4.9 DH
Le HGTG30N60A4D est un dispositif de commutation haute tension à déclenchement MOS combinant les meilleures caractéristiques des MOSFET et des transistors bipolaires. Cet appareil a la haute impédance d’entrée d’un MOSFET et la faible perte de conduction à l’état passant d’un transistor bipolaire. La chute de tension à l’état passant beaucoup plus faible varie selon
| SUR SEMI-CONDUCTEUR (FAIRCHILD) | ||
| IGBT | ||
| 600V | ||
| 60A | ||
| 463W | ||
| TO247-3 | ||
| ± 20V | ||
| 240A | ||
| THT | ||
| 360nC | ||
| tube |
- Poids brut: 4,99 g
- Numéro de pièce du fabricant: HGTG30N60A4D
Les composants sensibles aux décharges électrostatiques sont emballés avec précaution dans une zone ESD spéciale. Pour cela, nous utilisons des rails antistatiques ou des blisters remplis de mousse d’éther antistatique. Tous les produits de la zone ESD sont également emballés dans des sacs de protection.
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