IRF540N Mosfet 100V 33A IRF540 TO-220

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  1. La tension de drain à la source Vds est de 100 V
  2. La tension entre la grille et la source est de ± 20 V
  3. Sur la résistance Rds (on) de 44mohm à Vgs de 10V
  4. Dissipation de puissance Pd de 130W à 25 ° C
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SKU: Volta-55916 Catégorie:
Le MOSFET IRF540N (TO-220-3) d’International Rectifier est un MOSFET de puissance HEXFET à canal N 100 V dans un boîtier TO-220AB. Ce MOSFET présente une très faible résistance à la résistance par zone de silicium, un indice dynamique dv / dt, une commutation robuste et rapide et une protection contre les avalanches. .
Remarque: L’image peut différer du produit réel en termes de fabricant / nom de marque selon la disponibilité. 

 Fonctionnalités:

  1. La tension de drain à la source Vds est de 100 V
  2. La tension entre la grille et la source est de ± 20 V
  3. Sur la résistance Rds (on) de 44mohm à Vgs de 10V
  4. Dissipation de puissance Pd de 130W à 25 ° C
  5. Courant de drain continu Id de 33A à Vgs 10V et 25 ° C
  6. Plage de températures de jonction de fonctionnement de -55 ° C à 175 ° C
  7. Applications: gestion de l’alimentation, industriels, appareils portables, électronique grand public.
  8. Paquet / CaisseTO-220-3
    Style de montageÀ travers le trou
    Serie de produitsIRF540
    Nombre de sortie1
    Le type de sortieTension analogique
    PolaritéN-Channel
    Dimensions en mm (LxlxH)10 x 4,4 x 15,65
    Vds – Tension de claquage source-drain100 V
    Id – Courant de drainage continu33 A
    Rds On – Résistance drain-source44 mOhms
    Vgs – Tension Gate-Source20 V
    Qg – Charge de porte47,3 nC
    Pd – Dissipation de puissance140 W
    Poids d’expédition0,085 kg
    Dimensions d’expédition8 × 6 × 2 cm

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