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Transistor 2N3819, 25V 20mA Fet-N TO92
1 DH
- ype de transistor: JFET
- Type de canal de contrôle: N -Channel
- Dissipation de puissance maximale (Pd): 0,35 W
- Tension drain-source maximale | Vds |: 25 V
- Tension grille-source maximale | Vgs |: 8 V
- Courant de drain maximal | Id |: 0,05 A
- Température maximale de jonction (Tj): 150 ° C
- Résistance maximale à l’état drain-source (Rds): 300 Ohm
- Paquet: TO92
| Numéro de pièce | 2N3819 |
|---|---|
| Constructeur | Semi-conducteur central |
| La description | TRANS JFET N-CH 25V 10MA TO-92 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / RoHS non conforme |
| quantité disponible | 5590 pièces |
| Fiche technique | 2N3819 |
| Photo du produit | 2N3819.jpg |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| Tension – Estimation | 25V |
| Type de transistor | JFET canal N |
| Package d’appareil | TO-92 |
| Série | – |
| Aliments – Production | – |
| emballage | En vrac |
| Paquet / Couverture | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Autres noms | 2N3819 PBFREE 2N3819 PBFREE-ND 2N3819 PBFREECT 2N3819 PBFREECT-ND 2N3819 TIN / LEAD 2N3819CS 2N3819CSC 2N3819CSC-ND 2N3819PBFREE 2N3819PBFREE-ND |
| Figure de bruit | – |
| Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL) | 1 (illimité) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 16 semaines |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / RoHS non conforme |
| Gain | – |
| La fréquence | – |
| Description détaillée | RF Mosfet canal N JFET TO-92 |
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