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Transistor 2N3906, 40V 0.2A PNP TO92
1 DH
- Type – PNP
- Tension collecteur-émetteur: -40 V
- Tension collecteur-base: -40 V
- Tension de base de l’émetteur: -5 V
- Courant de collecteur: -0,2 A
- Dissipation du collecteur – 0,625 W
- Gain de courant CC (h fe ) – 100 à 300
- Fréquence de transition – 250 MHz
- Figure de bruit – 4 dB
- Plage de températures de jonction de fonctionnement et de stockage -55 à +150 ° C
- Paquet – TO-92
Fonctionnalités:
- Transistor PNP bipolaire
- Le gain de courant CC (hFE) est de 300 maximum
- Le courant du collecteur continu (IC) est de 200mA
- La tension de base de l’émetteur (VBE) est de 5 V
- Le courant de base (IB) est de 5 mA maximum
- La tension de l’émetteur du collecteur (VCE) est de 40 V
- La tension de base du collecteur (VCB) est de 40 V
- Disponible en ensemble To-92
Remarque: les détails techniques complets se trouvent dans la fiche technique 2N3906 fournie à la fin de cette page.
Transistors équivalents 2N3906:
2N4403, MPSA13, MPSA92, MPSA55, ZTX555
Brève description sur 2N3906:
2N3906 est un transistor PNP, donc le collecteur et l’émetteur seront fermés ( polarisation directe) lorsque la broche de base est maintenue à la masse et seront ouverts (polarisation inverse) lorsqu’un signal est fourni à la broche de base. C’est là qu’un transistor PNP diffère d’un transistor NPN, un état logique (couleur bleue) est utilisé pour basculer entre la tension de masse et la tension de signal (tension de base de l’émetteur VBE) comme indiqué ci-dessous
2N3906 a une valeur de gain de 110 à 300, cette valeur détermine la capacité d’amplification du transistor. La quantité maximale de courant qui pourrait passer à travers la broche du collecteur est de 200 mA, donc nous ne pouvons pas connecter des charges qui consomment plus de 200 mA en utilisant ce transistor. Pour polariser un transistor, nous devons fournir du courant à la broche de base, ce courant (IB) doit être limité à 5mA.
Lorsque ce transistor est entièrement polarisé, il peut permettre à un maximum de 200 mA de circuler à travers le collecteur et l’émetteur. Cette étape est appelée région de saturation et la tension typique autorisée aux bornes du collecteur-émetteur (VCE) ou de la base-émetteur (VBE) pourrait être respectivement de 40 et 5 V. Lorsque le courant de base est supprimé, le transistor devient complètement bloqué, cette étape est appelée région de coupure et la tension de l’émetteur de base pourrait être d’environ 5V.
Où utiliser 2N3906:
Le 2N3906 est un transistor PNP couramment utilisé. Il est très similaire au transistor BC557, sauf qu’il a une tension collecteur / émetteur élevée et que, par conséquent, les charges à haute tension peuvent être basculées. Ce transistor n’a qu’une valeur de gain de 300, donc ne convient pas aux circuits amplificateurs.
Donc, si vous recherchez un transistor PNP qui pourrait commuter des charges à haute tension à moins de 0,2 A, ce transistor 2N3906 pourrait être le bon choix pour vous.
Comment utiliser 2N3906:
Le transistor 2N3906 est couramment utilisé comme dispositif de commutation. Lorsqu’il est utilisé comme interrupteur, il peut être utilisé dans la zone de saturation et la zone de coupure. Dans le transistor PNP, par défaut, il est à l’état ON, mais ne doit pas être dit parfaitement ON jusqu’à ce que la broche de base ne soit pas mise à la terre. Si nous fournissons la masse à la broche de base, alors le transistor sera polarisé en inverse et dit être passant. Si l’alimentation est fournie à la broche de base, elle arrête de conduire le courant entre l’émetteur et le collecteur et est dite en état OFF. Pour la protection du transistor une résistance ajoutée en série avec lui. Pour trouver la valeur de cette résistance, vous pouvez utiliser la formule:
RB = VBE / IB
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