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Transistor 2N4401, 60V 0.6A NPN TO92
2 DH
- Type – NPN
- Tension collecteur-émetteur: 40 V
- Tension collecteur-base: 60 V
- Tension de base émetteur: 6 V
- Courant de collecteur: 0,6 A
- Dissipation du collecteur – 0,625 W
- Gain de courant CC (h fe ) – 100 à 300
- Fréquence de transition – 250 MHz
- Plage de températures de jonction de fonctionnement et de stockage -55 à +150 ° C
- Paquet – TO-92
Caractéristiques
- Transistor NPN à usage général
- Gain de courant CC élevé (h FE ), généralement 80 lorsque I C = 10mA
- Le courant du collecteur continu (I C ) est de 500 mA
- La tension collecteur-émetteur (V CE ) est de 40 V
- La tension du collecteur-base (V CB ) est de 60 V
- La tension de claquage de la base de l’émetteur (V BE ) est de 6 V
- La fréquence de transition est de 100 MHz
- Disponible en ensemble To-92
Remarque: les détails techniques complets se trouvent dans la fiche technique 2N4401 jointe au bas de la page.
Transistors NPN alternatifs
BC549, BC636, BC639, BC547 , 2N2369, 2N3055, 2N3904 , 2N3906 , 2SC5200,2N551
Transistors équivalents 2N4401
2N3904, 2N22A
Brève description du transistor 2N4401
2N4401 est un transistor NPN, donc le collecteur et l’émetteur seront laissés ouverts (polarisation inverse) lorsque la broche de base est maintenue à la masse et seront fermés (polarisation directe) lorsqu’un signal est fourni à la broche de base. 2N4401 a une valeur de gain h fe de 500; cette valeur détermine la capacité d’amplification du transistor. La quantité maximale de courant pouvant passer à travers la broche du collecteur est de 800 mA, donc nous ne pouvons pas connecter des charges qui consomment plus de 500 mA à l’aide de ce transistor. Pour polariser un transistor, nous devons fournir du courant à la broche de base, ce courant (I B ) doit être limité à 5mA.
Lorsque ce transistor est complètement polarisé, il peut permettre à un maximum de 800mA de circuler à travers le collecteur et l’émetteur. Cette étape est appelée région de saturation et la tension typique autorisée aux bornes du collecteur-émetteur (V CE ) ou de la base-émetteur (V BE ) pourrait être de 200 et 900 mV respectivement. Lorsque le courant de base est supprimé, le transistor devient complètement bloqué, cette étape est appelée région de coupure et la tension de l’émetteur de base pourrait être d’environ 660 mV.
Où le transistor 2N4401 est utilisé
Le transistor 2N4401 est très similaire au transistor NPN 2N2222 couramment utilisé . Mais il existe deux caractéristiques importantes qui différencient les 2N4401 et 2N222 . Le 2N4401 peut autoriser un courant de collecteur jusqu’à 500 mA uniquement et a également une dissipation de puissance de 652 mW qui peut être utilisée pour des charges moyennes par rapport au 2N2222, mais peut entraîner des charges supérieures à BC547
Donc, si vous recherchez un transistor NPN qui pourrait commuter des charges ou une amplification décente, le 2N4401 pourrait être le bon choix pour votre projet.
Comment utiliser le transistor 2N4401
Ce transistor comme tous peut être utilisé soit comme interrupteur, soit comme amplificateur . La tension base-émetteur de ce transistor est de 6 V, il vous suffit donc de fournir cette tension à travers la base et l’émetteur du transistor pour induire un courant de base dans le transistor. Ce transistor le rend polarisé en direct et ferme ainsi la connexion entre collecteur et émetteur. Cependant, une chose importante à noter est la résistance de base aka résistance de limitation de courant. Comme son nom l’indique, cette résistance limitera le courant traversant le transistor pour l’empêcher de s’endommager. La valeur de cette résistance peut être calculée à l’aide de la formule
R B = V BE / I B
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