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Transistor BS170, 60V 0.30A BS170 TO92
1.5 DH
- Type de transistor: MOSFET
- Type de canal de contrôle: N -Channel
- Dissipation de puissance maximale (Pd): 0,83 W
- Tension drain-source maximale | Vds |: 60 V
- Tension grille-source maximale | Vgs |: 20 V
- Tension maximale seuil de porte | Vgs (th) |: 3 V
- Courant de drain maximal | Id |: 0,5 A
- Température maximale de jonction (Tj): 150 ° C
- Résistance maximale à l’état drain-source (Rds): 5 Ohm
- Paquet: TO92
| SUR SEMI-CONDUCTEUR (FAIRCHILD) | ||
| N-MOSFET | ||
| unipolaires | ||
| 60V | ||
| 0.5A | ||
| 0,83W | ||
| TO92 | ||
| ± 20V | ||
| 1,2Ω | ||
| THT | ||
| enrichi |
- Poids brut: 0,276 g
- Numéro du manufacturier: BS170-D26Z
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