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Transistor BUT11A, 850 V 5A PNP TO220
13 DH
- Polarité: NPN
- Dissipation maximale de puissance du collecteur (PC): 100 W
- Tension maximale collecteur-base | Vcb |: 1000 V
- Tension maximale collecteur-émetteur | Vce |: 450 V
- Tension maximale émetteur-base | Veb |: 5 V
- Courant maximum du collecteur | Ic max |: 5 A
- Max. Température de jonction de fonctionnement (Tj): 150 ° C
- Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN: 5
| TYPE | LA DESCRIPTION | TOUT SÉLECTIONNER |
| Les catégories | Produits semi-conducteurs discrets | |
|---|---|---|
| Transistors – Bipolaire (BJT) – Unique | ||
| Fabricant | ON Semiconductor | |
| Séries | – | |
| Emballage | Masse | |
| Statut de la pièce | actif | |
| Type de transistor | NPN | |
| Courant – Collecteur (Ic) (Max) | 5A | |
| Tension – panne de l’émetteur du collecteur (max.) | 450V | |
| Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic | 1,5 V à 500 mA, 2,5 A | |
| Courant – Coupure du collecteur (Max) | 1mA | |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | – | |
| Puissance – Max | 100W | |
| Fréquence – Transition | – | |
| Température de fonctionnement | 150 ° C (TJ) | |
| Type de montage | À travers le trou | |
| Paquet / Caisse | TO-220-3 | |
| Package de périphérique fournisseur | TO-220-3 | |
| Numéro de pièce de base | MAIS11 |
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