Transistor IRF3205, 55 V 110 A MOSFET TO220

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  • Type: canal n
  • Tension de claquage drain-source: 55 V
  • Tension Gate-to-Source, max: ± 20 V
  • Résistance à l’état drain-source, max: 8.000 Ohm
  • Courant de drainage continu: 98 A
  • Charge totale de la porte: 97,3 nC
  • Dissipation de puissance: 150 W
  • Paquet: TO-220AB
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SKU: Volta-17595 Catégorie:
Infineon (IRF)
N-MOSFET
HEXFET®
unipolaires
55V
80A
200W
TO220AB
± 20V
8mΩ
THT
146nC
tuba
enrichi

  • Poids brut: 1,94 g
  • Numéro du manufacturier: IRF3205PBF; IRF3205

Les composants sensibles à l’électricité statique sont emballés avec précautions dans une zone ESD spéciale. Des rails antistatiques ou des blisters avec une éponge qui dissipe l’électricité statique sont utilisés pour emballer les éléments. Tous les produits de la zone ESD sont également emballés dans des sacs de protection.

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