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Transistor IRF4905, 55 V 74 A MOSFET TO220
15 DH
- Type de transistor: MOSFET
- Type de canal de contrôle: P -Channel
- Dissipation de puissance maximale (Pd): 150 W
- Tension drain-source maximale | Vds |: 55 V
- Tension grille-source maximale | Vgs |: 10 V
- Courant de drain maximal | Id |: 64 A
- Température maximale de jonction (Tj): 150 ° C
- Charge de porte totale (Qg): 120 nC
- Résistance maximale à l’état drain-source (Rds): 0,02 Ohm
- Paquet: TO220AB
Avantages
- Structure cellulaire planaire pour un SOA large
- Optimisé pour une plus grande disponibilité des partenaires de distribution
- Qualification du produit selon la norme JEDEC
- Silicium optimisé pour les applications commutant en dessous de <100 kHz
- Bloc d’alimentation traversant standard de l’industrie
- Ensemble de capacité de transport à courant élevé (jusqu’à 195 A, en fonction de la taille de la puce)
- Capable d’être soudé à la vague
Paramètres
Paramètres | IRF4905 |
---|---|
I D (@ 25 ° C) max | -74,0 A |
Montage | THT |
P tot max | 200,0 W |
Paquet | TO-220 |
Polarité | P |
Q G (typ @ 10V) | 120,0 nC |
Q gd | 57,3 nC |
R DS ( activé) (@ 10 V) max | 20,0 mΩ |
R thJC max | 0,75 K / W |
T j max | 175,0 ° C |
V DS max | -55,0 V |
V GS (th) min max | -3,0 V -2,0 V -4,0 V |
V GS max | 20,0 V |
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