Aucun produit dans le panier.
Survolez l'image pour l'agrandir
Transistor IRF510, 100V 5.6A MOSFET TO220
6 DH
- Type: canal n
- Tension de claquage drain-source: 100 V
- Tension Gate-to-Source, max: ± 20 V
- Résistance à l’état drain-source, max: 0,540 Ohm
- Courant de drainage continu: 5,6 A
- Charge totale de la porte: 8,3 nC
- Dissipation de puissance: 43 W
- Paquet: TO-220AB
| VISHAY | ||
| N-MOSFET | ||
| unipolaires | ||
| 100V | ||
| 4A | ||
| 43W | ||
| TO220AB | ||
| ± 20V | ||
| 540mΩ | ||
| THT | ||
| 8,3nC | ||
| tuba | ||
| enrichi |
- Poids brut: 1,975 g
- Numéro du manufacturier: IRF510PBF
Les composants sensibles à l’électricité statique sont emballés avec précautions dans une zone ESD spéciale. Des rails antistatiques ou des blisters avec une éponge qui dissipe l’électricité statique sont utilisés pour emballer les éléments. Tous les produits de la zone ESD sont également emballés dans des sacs de protection.
Avis des clients
Only logged in customers who have purchased this product may write a review.
Avis
Il n'y a pas encore d'avis.