Transistor IRF520N, 100 V 9,5 A MOSFET TO220

DH

Rupture de stock

  • Type: canal n
  • Tension de claquage drain-source: 100 V
  • Tension Gate-to-Source, max: ± 20 V
  • Résistance à l’état drain-source, max: 200.000 Ohm
  • Courant de drainage continu: 9,7 A
  • Charge totale de la porte: 16,7 nC
  • Dissipation de puissance: 48 W
  • Paquet: TO-220AB
SKU: Volta-27755 Catégorie:

Transistor IRF520N, 100 V 9,5 A MOS-N-FET-e TO220

Infineon (IRF)
N-MOSFET
HEXFET®
unipolaires
100V
9,7A
48W
TO220AB
± 20V
0,2Ω
THT
16,7nC
tuba
enrichi

  • Poids brut: 1,963 g
  • Numéro du manufacturier: IRF520NPBF; IRF520N

Les composants sensibles à l’électricité statique sont emballés avec précautions dans une zone ESD spéciale. Des rails antistatiques ou des blisters avec une éponge qui dissipe l’électricité statique sont utilisés pour emballer les éléments. Tous les produits de la zone ESD sont également emballés dans des sacs de protection.

Avis des clients

5 stars 0
4 stars 0
3 stars 0
2 stars 0
1 star 0

Avis

Il n'y a pas encore d'avis.

Only logged in customers who have purchased this product may write a review.

Rejoindre la liste d'attente Nous vous informerons lorsque le produit arrivera en stock. Veuillez laisser votre adresse E-mail et la quantité voulue.

Main Menu

Transistor IRF520N, 100 V 9,5 A MOSFET TO220

DH

تواصل معنا
بحاجة الى مساعدة ؟
يمكنك الحصول على هذا
Transistor IRF520N, 100 V 9,5 A MOSFET TO220
مقابل فقط
8 DH
إذا كان لديك أسئلة ، اسألهم.