Transistor IRF9540N, 100 V 19 A MOSFET TO220

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  1. La tension de drain à la source Vds est de 100 V
  2. La tension entre la grille et la source est de ± 20 V
  3. Sur la résistance Rds (on) de 44mohm à Vgs de 10V
  4. Dissipation de puissance Pd de 130W à 25 ° C
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SKU: Volta-34133 Catégorie:

Le MOSFET IRF540N (TO-220-3) d’International Rectifier est un MOSFET de puissance HEXFET à canal N 100 V dans un boîtier TO-220AB. Ce MOSFET présente une très faible résistance à la résistance par zone de silicium, un indice dynamique dv / dt, une commutation robuste et rapide et une protection contre les avalanches. .

 Fonctionnalités:

  1. La tension de drain à la source Vds est de 100 V
  2. La tension entre la grille et la source est de ± 20 V
  3. Sur la résistance Rds (on) de 44mohm à Vgs de 10V
  4. Dissipation de puissance Pd de 130W à 25 ° C
  5. Courant de drain continu Id de 33A à Vgs 10V et 25 ° C
  6. Plage de températures de jonction de fonctionnement de -55 ° C à 175 ° C
  7. Applications: gestion de l’alimentation, industriels, appareils portables, électronique grand public.
Paquet / CaisseTO-220-3
Style de montageÀ travers le trou
Serie de produitsIRF540
Nombre de sortie1
Le type de sortieTension analogique
PolaritéN-Channel
Dimensions en mm (LxlxH)10 x 4,4 x 15,65
Vds – Tension de claquage source-drain100 V
Id – Courant de drainage continu33 A
Rds On – Résistance drain-source44 mOhms
Vgs – Tension Gate-Source20 V
Qg – Charge de porte47,3 nC
Pd – Dissipation de puissance140 W
Poids d’expédition0,085 kg
Dimensions d’expédition8 × 6 × 2 cm

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