Transistor IRFP064N, 55 V 110 A MOSFET TO3P

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  • Type: canal n
  • Tension de claquage drain-source: 55 V
  • Tension Gate-to-Source, max: ± 20 V
  • Résistance à l’état drain-source, max: 8.000 Ohm
  • Courant de drainage continu: 98 A
  • Charge de porte totale: 113,3 nC
  • Dissipation de puissance: 150 W
  • Paquet: TO-247AC
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SKU: Volta-11835 Catégorie:
TECHNOLOGIES INFINEON
N-MOSFET
HEXFET®
unipolaires
55V
80A
200W
TO247AC
± 20V
8mΩ
THT
170nC
tuba
enrichi

  • Poids brut: 5,577 g
  • Numéro du manufacturier: AUIRFP064N ; IRFP064N

Les composants sensibles à l’électricité statique sont emballés avec précautions dans une zone ESD spéciale. Des rails antistatiques ou des blisters avec une éponge qui dissipe l’électricité statique sont utilisés pour emballer les éléments. Tous les produits de la zone ESD sont également emballés dans des sacs de protection.

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