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Transistor IRFP450, 500V 14A MOSFET TO3P
25 DH
- Type de canal de contrôle: N -Channel
- Dissipation de puissance maximale (Pd): 180 W
- Tension drain-source maximale | Vds |: 500 V
- Tension grille-source maximale | Vgs |: 20 V
- Tension maximale de seuil de porte | Vgs (th) |: 4 V
- Courant de drain maximal | Id |: 14 A
- Température maximale de jonction (Tj): 150 ° C
- Charge de porte totale (Qg): 75 nC
- Capacité drain-source (Cd): 3000 pF
VISHAY | ||
N-MOSFET | ||
unipolaires | ||
500V | ||
8.7A | ||
190W | ||
TO247AC | ||
± 30V | ||
400mΩ | ||
THT | ||
64nC | ||
tuba | ||
enrichi |
- Poids brut: 4,61 g
- Numéro du manufacturier: IRFP450APBF
Les composants sensibles à l’électricité statique sont emballés avec précautions dans une zone ESD spéciale. Des rails antistatiques ou des blisters avec une éponge qui dissipe l’électricité statique sont utilisés pour emballer les éléments. Tous les produits de la zone ESD sont également emballés dans des sacs de protection.
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