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Transistor IRFP460, 500 V 20 A MOSFET TO3P
25 DH
- Type de transistor: MOSFET
- Type de canal de contrôle: N -Channel
- Dissipation de puissance maximale (Pd): 280 W
- Tension drain-source maximale | Vds |: 500 V
- Tension grille-source maximale | Vgs |: 10 V
- Tension maximale de seuil de porte | Vgs (th) |: 4 V
- Courant de drain maximal | Id |: 20 A
- Température maximale de jonction (Tj): 150 ° C
- Charge de porte totale (Qg): 95 nC
- Résistance maximale à l’état drain-source (Rds): 0,27 Ohm
- Paquet: TO3P
| VISHAY | ||
| N-MOSFET | ||
| unipolaires | ||
| 500V | ||
| 13A | ||
| 280W | ||
| TO247AC | ||
| ± 20V | ||
| 270mΩ | ||
| THT | ||
| 210nC | ||
| tuba | ||
| enrichi |
- Poids brut: 4,61 g
- Numéro du manufacturier: IRFP460PBF
Les composants sensibles à l’électricité statique sont emballés avec précautions dans une zone ESD spéciale. Des rails antistatiques ou des blisters avec une éponge qui dissipe l’électricité statique sont utilisés pour emballer les éléments. Tous les produits de la zone ESD sont également emballés dans des sacs de protection.
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