Transistor IRFP460, 500 V 20 A MOSFET TO3P

25 DH

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  • Type de transistor: MOSFET
  • Type de canal de contrôle: N -Channel
  • Dissipation de puissance maximale (Pd): 280 W
  • Tension drain-source maximale | Vds |: 500 V
  • Tension grille-source maximale | Vgs |: 10 V
  • Tension maximale de seuil de porte | Vgs (th) |: 4 V
  • Courant de drain maximal | Id |: 20 A
  • Température maximale de jonction (Tj): 150 ° C
  • Charge de porte totale (Qg): 95 nC
  • Résistance maximale à l’état drain-source (Rds): 0,27 Ohm
  • Paquet: TO3P
SKU: Volta-42938 Catégorie:
VISHAY
N-MOSFET
unipolaires
500V
13A
280W
TO247AC
± 20V
270mΩ
THT
210nC
tuba
enrichi

  • Poids brut: 4,61 g
  • Numéro du manufacturier: IRFP460PBF

Les composants sensibles à l’électricité statique sont emballés avec précautions dans une zone ESD spéciale. Des rails antistatiques ou des blisters avec une éponge qui dissipe l’électricité statique sont utilisés pour emballer les éléments. Tous les produits de la zone ESD sont également emballés dans des sacs de protection.

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